◎치고 나가는 CXMT◎
중국의 반도체 기업인 창신메모리가 차세대 4F² 구조 개발 선언 D램 기술 개발에 대해 유의미한 진전이 있었다고 밝혔어요.
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해당 기술은 칩 내부의 메모리 셀(Cell) 면적을 최소 선폭(F) 기준으로 4제곱(4F²) 수준까지 줄여 저장 밀도를 극대화한 신개념 반도체 기술입니다
이는 표준인 6F² 구조 대비 셀 면적을 30%~50% 축소하여 저장 밀도를 극대화하여 성능을 크게 개선한 것으로 보입니다.
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참고로 D램 시장 최강자라고 불리는 삼성전자와 SK하이닉스 역시 4F² 기술을 연구 중인데, 삼성전자의 경우 4F² 양산 시점을 2028년경으로 예상하고 있습니다.


◎급락하는 주가◎
최근 반도체 슈퍼사이클로 인해 강세를 보이던 반도체 기업들의 주가는 추세가 꺾여 약세와 조정을 거치고 있었습니다.
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그런데 이런 상황에 창신메모리의 새롭게 기술을 개발했다는 소식을 전했고, 이에 글로벌 및 국내 반도체 기업들의 주가를 크게 끌어내리는 트리거로 작용했어요.
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현재 창신메모리는 전 세계 D램 시장 점유율을 9.5%%까지 끌어올리며 글로벌 4위로 올라섰습니다. 지금도 빠르게 시장을 점유하고 있는 중이죠.
기존 D램 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3파전이었지만, HBM과 CXMT의 등장으로 시장의 판도가 바뀌면서 D램 시장이 격동할 것이라는 분석이 나오고 있습니다.
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◎창신메모리의 리스크◎
창신메모리가 새로운 기술을 공개하면서 모든 스포트라이트가 쏠리고 있는 중이에요.
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이에 창신메모리의 다음 스탭에 대해서도 주목되고 있습니다.
바로 새로운 기술을 적용한 D램이 안정화된 수율을 보일 것인지와 동시에 대량 양산 능력, 특허 장벽을 해결할 수 있는지에 대해서죠.
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보통 반도체를 만들 때, 웨이퍼 한 장을 가공하는 데 들어가는 장비, 전력, 인건비 등의 고정 비용은 수율과 상관없이 똑같이 발생합니다.

따라서 수율이 높을수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 정상 칩(양품)의 수가 늘어나 개당 생산 단가(원가)가 낮아져요.

즉 대량 생산이 가능하고, 수율 마저 견고하다면 시장에 새로운 패러다임을 제시하게 됩니다.

이로 인해 창신메모리가 D램 시장을 새롭게 재편할 것이라는 우려의 시선도 있어요.
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다만 삼성전자와 SK하이닉스는 최고 부가가치 제품인 6세대 고대역폭 메모리(HBM4) 및 맞춤형 칩 시장에서 견고한 진입 장벽을 치고 있어 중단기 실적 타격은 제한적일 것이라는 분석도 있습니다.

또한 아직 창신메모리가 차세대 4F² 구조 개발을 두고 확실한 성과를 시장에 보여준 것이 아니기에 아직 경쟁사들에게 추격이 가능한 시간이 남아있다는 전망도 있어요.